氧化镓禁带宽度约4.8 eV，理论击穿场强为8 MV/cm，是继GaN和SiC之后的下一代超宽禁带半导体材料，在高压电力控制、射频通信、日盲探测、恶劣环境信号处理等方面有着广阔的应用前景。近年来，4~6英寸氧化镓单晶生长技术取得突破性进展，极大地推动了氧化镓相关材料及器件的研究，正成为国际上超宽禁带半导体领域的研究和产业热点。

“第四届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”由山东大学晶体材料国家重点实验室主办，旨在搭建海峡两岸氧化镓材料与器件研究领域科研技术人员相互交流与合作的平台，展示相关领域最新研究成果，共同探讨其中的关键科学和技术问题，进一步促进两岸科技合作与进步，推动相关领域基础研究和应用技术的持续创新发展。会议定于2023年10月12—15日在山东•济南召开，诚挚邀请全国各高等院校、科研机构和相关企事业单位从事相关材料与器件研究和应用的同行和朋友们参会交流，合作共赢。

会议主题：修身 齐镓 创未来

山东大学晶体材料国家重点实验室

山东大学新一代半导体材料研究院

山东大学功能材料与器件学科创新引智基地2.0

《人工晶体学报》

中材人工晶体研究院有限公司

山东大学功能晶体材料及器件教育部重点实验室

中国科学技术大学微电子学院

西安电子科技大学微电子学院

南京大学电子科学与工程学院

北京大学物理学院

大连理工大学微电子学院

东北师范大学物理学院

电子科技大学集成电路科学与工程学院

复旦大学信息科学与工程学院

吉林大学电子科学与工程学院

山东大学微电子学院

同济大学物理科学与工程学院

厦门大学电子科学与技术学院

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

中国科学院上海光学精密机械研究所

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第四十六研究所

固态微波器件与电路全国重点实验室