郝 跃 院 士,西安电子科技大学(大会报告45分钟)
报告题目:氧化镓半导体电子器件的若干新进展
祝世宁 院 士,南京大学
杨德仁 院 士,浙江大学(大会报告45分钟)
报告题目:铸造氧化镓晶体的生长和缺陷
刘益春 院 士,东北师范大学
沈 波 教 授,北京大学(大会报告45分钟)
报告题目:AlN体单晶和外延材料的制备
洪瑞华 教 授,台湾阳明交通大学(大会报告45分钟)
报告题目:寬能隙氧化鎵增強型金氧半場效電晶體之研究
龙世兵 教 授,中国科学技术大学(主题报告30分钟)
报告题目:超宽禁带氧化镓半导体功率电子器件和光电探测器研究进展
叶建东 教 授,南京大学(主题报告30分钟)
报告题目:氧化镓外延掺杂与物相调控研究
黄文海 副教授,香港科技大学(主题报告30分钟 )
报告题目:氧化鎵晶體管技術的回顧與展望
会议时间
2023年10月12—15日
优惠缴费截止时间
2023年9月25日
投稿截止时间
2023年9月20日